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中安
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BTR-T652(DHTGB / DGS)
动态高温栅偏（DHTGB / DGS）

满足SiC MOSFET，TO220、TO247单管封装/模块封装的动态高温栅偏试验(DHTGB)老炼筛选。

AQG-324试验标准


┃ 试验环境

试验温度 / 湿度范围：-20℃～+150℃ / 25～98%RH



┃ 试验数量

8 个试验抽屉,单抽屉 12 个独立试验工位，整机共计 96 工位(单管)



┃ 试壳温检测及控制范围

室温 ～200℃; 壳温检测及控制精度：±1%＋2℃



┃ 电源配置

多路产生VG脉冲电源+参数采集辅助电源



┃ 加电模式

 

 

程控幅度VPP范围：-40～+40V；

dv/dt：≥ 1V/nS（程控）

频率：≥ 500KHz(单管)；≥ 50KHz(模块)

过冲：±0.5V



┃ 电压检测

-40～40V；精度：±(1%rdg.+ 1LSB)；分辨率：0.01V



┃ 阈值电压检测

范围：0.10V～10.00V；计量起始点：0.5V；最小分辨率：0.01V；

精度：±(1%rdg.+0.01)V



┃ 漏电流检测

范围：0.1nA~100mA；计量起始点：100pA；精度：±（2% rdg.+0.01）nA；

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